Odyssey HDRF – установка без зарядовой плазменной очистки полупроводниковых пластин.
Область применения:

  • Без зарядовое удаление фоторезиста
  • Низкотемпературное снятие фоторезиста (50° -150°C)
  • Высокотемпературное снятие фоторезиста (150° -250°C)
  • Удаление полимеров после процесса глубокого РИТ (Bosch-процесс)
  • Очистка от органики боковых стенок структур с высоким аспектным соотношением (30:1)
  • Очистка поверхности пластин перед процессом бондинга
  • Очистка микростекол, МЭМС структур от органики

Особенности:

  • Идеально подходит для мелкосерийного и крупного производства
  • Отсутствие наведенного заряда, ионной бомбардировки во время процесса
  • HDRF ICP-источник плазмы c высокой плотностью радикалов ( >1e17 см-3)
  • Одиночная обработка пластин размером до 200 мм
  • Опционально, возможна конфигурация для двусторонней обработки пластин
  • Uptime установки > 92%
  • Программное обеспечение на базе Microsoft Windows 7 с интуитивно понятным интерфейсом
  • Опция определение Endpoint процесса
  • Высокая равномерность, скорость травления, селективность процесса обработки
ПараметрТехнические характеристики
Размер подложекдо 200 мм
Температуры процесса50° - 150°C
150° - 250°C
Газовые линииДо 4 линий с цифровыми MFC
Материал камерыАлюминий с твёрдым анодированным покрытием
ВЧ ICP источник плазмы1 кВт, 13,56 МГц
Вакуумный насос
Скорость откачки
Edwards EPX 180N
180 м3
Минимальное давление< 1 мТорр
Контроль давленияАвтоматический
Система управлениясовместима с SECS/GEM
Операционная оболочкаPLC на базе Windows 7
Требования к электропитанию400В, 32А, 50/60Гц, 3 фазы
Варианты монтажаОтдельно (Ballroom)
Через стену чистого помещения (Through-wall)
Дополнительные опцииВч ICP источник 1,5 кВт;
Вч ICP источник 3,0 кВт;
Конфигурация для двухсторонней обработки пластин;
Дополнительные газовые линии;
Endpoint OES;
SMIF загрузочный порт;
FFU модуль загрузки пластин(ISO 3);
Трансформатор;