ДОСТАВКА ПО РОССИИ И СТРАНАМ СНГ
РЕЖИМ РАБОТЫ
09.00-18.00, пн-пт

Установка плазмохимического осаждения слоев LA PECVD

LA PECVD (Plasma-Therm) – система предназначена для высоких объемов полупроводникового производства. Работает из кассеты в кассеты и позволяет получать широкий спектр диэлектрических слоев в планарном реакторе:

  • a-Si:H
  • SiO2
  • Si3N4
  • SiOхNх
  • SiC
  • DLC (алмазоподобное углеродное покрытие)

Особенности:

  • Идеально подходит для крупносерийного производства
  • Групповая обработка пластин, до 3 пластин диаметром 200мм
  • Возможность использования нескольких кассет с пластинами в загрузке
  • Контроль механических напряжений для пленок SiNх
  • Специализированное ПО для промышленного производства
  • Высокая равномерность (≤±2.5%)
  • Высокая производительность для процессов с разной скоростью осаждения
  • Контроль параметров осаждения пленки в реальном времени

 Технические характеристики
Размер столика (электрода)20"
Тип загрузкиКассета
Температура обработки80-350⁰С
RF мощность смещения60/600 Вт, 13,56 МГц
Газовые линиидо 8 (с цифровыми MFC)
ПО управления системойОсновано на ControlWorks TM
Определение точки окончания процессовОптический спектрометр OES
Оптический интерферометр OEI
Лазерный интерферометр LEI
Требования к электропитанию200-230 В, 50/60Гц
Опции (полный перечень опций по запросу)Возможность установки через стену в чистом посещении;
Конфигурация модуля осаждения под технологический процесс;