ZP-500M - система атомно-слоевого осаждения, ориентированная на среднесерийное производство. Полностью автоматизированная система обработки пластин диаметром до 200 мм обеспечивает простое и надежное использование. Имеется одна рабочая камера для обработки до 500 пластин одновременно. Широкая библиотека процессов позволяет осаждать тонкие пленки оксидов (TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2 и тд.), нитридов (TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN и тд.) металлов (Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe), полупроводники A2B6, A3B5 и сложные оксиды (GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3, SrTaO6). Широко применяется в технологии производства МЭМС, НЭМС, ОСИД и плоских дисплеев, солнечных элементов, при нанесении оптических и наноразмерных покрытий.
Осаждаемые материалы:
Особенности:
Технические характеристики | |
Размер пластин | До 200 мм включительно |
Температура подложки | От комнатной до 500⁰С, с точностью ± 0,1⁰С |
Линии подачи прекурсоров | 2 линии (опционально - большее число) |
Температура линии подачи прекурсоров | От комнатной до 200⁰С, с точностью ± 0,1⁰С |
Специальные ALD клапаны | Swagelok ALD |
Предельное давление | <5∙10-3 Торр |
Газ-носитель | N2 или Ar |
Режим осаждения | Последовательный или интервальный |
Система управления | PLC и сенсорный экран/дисплей |
Питание | 50-60 Гц, 220 В / 20 A AC |
Равномерность осаждения | По пластине <± 1% Между пластинами < ±1,5% |
Производительность | До 500 пластин Ø200 мм |
Время цикла осаждения | 5 с |
Габаритные размеры, мм | 1400x800x2000 |
Опции | Дополнительные линии подачи прекурсоров; Расширенный диапазон температур для подогреваемых линий подачи прекурсоров; |