Установка плазменной очистки полупроводниковых пластин Odyssey HDRF

Odyssey HDRF – установка без зарядовой плазменной очистки полупроводниковых пластин.
Область применения:

Без зарядовое удаление фоторезиста
Низкотемпературное снятие фоторезиста (50° -150°C)
Высокотемпературное снятие фоторезиста (150° -250°C)
Удаление полимеров после процесса глубокого РИТ (Bosch-процесс)
Очистка от органики боковых стенок структур с высоким аспектным соотношением (30:1)
Очистка поверхности пластин перед процессом бондинга
Очистка микростекол, МЭМС структур от органики

Особенности:

Идеально подходит для мелкосерийного и крупного производства
Отсутствие наведенного заряда, ионной бомбардировки во время процесса
HDRF ICP-источник плазмы c высокой плотностью радикалов ( >1e17 см^-3)
Одиночная обработка пластин размером до 200 мм
Опционально, возможна конфигурация для двусторонней обработки пластин
Uptime установки > 92%
Программное обеспечение на базе Microsoft Windows 7 с интуитивно понятным интерфейсом
Опция определение Endpoint процесса
Высокая равномерность, скорость травления, селективность процесса обработки

Параметр	Технические характеристики
Размер подложек	до 200 мм
Температуры процесса	50° - 150°C 150° - 250°C
Газовые линии	До 4 линий с цифровыми MFC
Материал камеры	Алюминий с твёрдым анодированным покрытием
ВЧ ICP источник плазмы	1 кВт, 13,56 МГц
Вакуумный насос Скорость откачки	Edwards EPX 180N 180 м³/ч
Минимальное давление	< 1 мТорр
Контроль давления	Автоматический
Система управления	совместима с SECS/GEM
Операционная оболочка	PLC на базе Windows 7
Требования к электропитанию	400В, 32А, 50/60Гц, 3 фазы
Варианты монтажа	Отдельно (Ballroom) Через стену чистого помещения (Through-wall)
Дополнительные опции	Вч ICP источник 1,5 кВт; Вч ICP источник 3,0 кВт; Конфигурация для двухсторонней обработки пластин; Дополнительные газовые линии; Endpoint OES; SMIF загрузочный порт; FFU модуль загрузки пластин(ISO 3); Трансформатор;

Форма поиска