ДОСТАВКА ПО РОССИИ И СТРАНАМ СНГ
РЕЖИМ РАБОТЫ
09.00-18.00, пн-пт

Установка атомно-слоевого осаждения ZP-ALD

ZP-ALD - установка атомно-слоевого осаждения, предназначенная для мелкосерийного производства и проведения научных исследований. Рабочая камера с ручной загрузкой позволяет работать с пластинами до 300 мм. Благодаря своей универсальности и функциональности, установка пользуется большой популярность среди исследовательских центров для проведения новых разработок в области микроэлектроники, наноэлектроники, тонких оптических покрытий, солнечных элементов.

Осаждаемые материалы:

  • оксиды (TiO2, HfO2, SiO2, ZnO, ZrO2, Al2O3, La2O3, SnO2 и т.д.)
  • нитриды (TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN и т.д.)
  • металлы (Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe)
  • полупроводники A2B6, A3B5 и сложные оксиды (GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO3, SrTaO6)

Особенности:

  • Установка разработана для научных исследований и мелкосерийного производства
  • Рабочая камера для одиночной обработки пластин размером до 300 мм
  • Регулируемая температура подложки 25 – 500°C
  • Подогреваемые линии подачи прекурсоров (в зависимости от конфигурации прекурсоров). Стандартно 3 линии
  • Скорость осаждения Al2O3: 1,1 Å/цикл
  • Система управления на основе PLC и сенсорного дисплея, с возможностью задания параметров технологического процесса
  • Установка в условиях чистых помещений
 Технические характеристики
Размер пластинДо 300 мм включительно
Температура подложкиОт комнатной до 500⁰С, с точностью ± 0,1⁰С
Линии подачи прекурсоров3 линии (опционально - большее число)
Температура линии подачи прекурсоровОт комнатной до 200⁰С, с точностью ± 0,1⁰С
Температура источника горячих прекурсоровОт комнатной до 200⁰С, с точностью ± 0,1⁰С
Специальные ALD клапаныSwagelok ALD
Предельное давление<5∙10-3 Торр
Газ-носительN2 или Ar
Режим осажденияПоследовательный или интервальный
Система управленияPLC и сенсорный экран/дисплей
Питание50-60 Гц, 220 В / 20 A AC
Равномерность осаждения< ± 1%
Габаритные размеры, мм750x770x1050
ОпцииДополнительные линии подачи прекурсоров;
Расширенный диапазон температур для подогреваемых линий подачи прекурсоров;
Шлюзовая загрузка пластин;