ДОСТАВКА ПО РОССИИ И СТРАНАМ СНГ
РЕЖИМ РАБОТЫ
09.00-18.00, пн-пт

Установка плазмохимического осаждения слоев Apex SLR HDP-CVD

  • a-Si:H
  • SiO2
  • Si3N4
  • SiON
  • SiC

Особенности:

  • Идеально подходит для пилотного и мелкосерийного производства
  • Одиночная обработка пластин размером до 8"
  • Установлен источник ICP (индуктивно-связанной) плазмы
  • Шлюзовая загрузка
  • Возможность осаждения легированных слоев
  • Низкотемпературное осаждение (180⁰С)
  • Высокая равномерность (≤±5%)
  • Высокая скорость осаждения
  • Надежность

 Технические характеристики
Размер столика (электрода)10" (254мм)
Размер ICP источника8" (200мм)
Температура столика (электрода)10-180⁰С
Материал столика (электрода)Монель (алюминиевый адаптер)
RF мощность смещения600 Вт, 13,56 МГц
RF мощность ICP источника1000Вт, 2 МГц
Вакуумный насос1300 л/с турбонасос
Минимальное давление<1x10e-6 Торр
Контроль давленияАвтоматический, 0-100 мТорр
Газовые линии6 линий (с цифровыми MFC)
Система контроляPLC, DeviceNet (нет совместимости с SECS/GEM)
Операционная оболочкаPLC (на базе Windows 7)
Требования к электропитанию25А 200/208 В, 50/60Гц, 3 фазы
РазмерыВысота 206,2см (с газораспределительным шкафом)
Глубина 138,7см
Ширина 68,5 см
ОпцииRF мощность ICP источника: 2000Вт
Endpoint : OES/OEI/Laser
Дополнительные газовые линии (до 12 линий)