Установка плазменного травления серии CIONE (Фото 1)

Области применения:

  • Микроэлектроника, наноэлектроника
  • Снятие фоторезиста
  • Оптоэлектроника
  • Производство печатных плат
  • Плазменная очистка
  • Плазменная активация поверхности
  • Научно-исследовательские центры и лаборатории
  • Обработка поверхности перед сваркой, пайкой, заливкой
  • Предварительная обработка перед нанесением лакового покрытия, колеющих веществ
  • Создания гидрофильных (притягивающих воду)/гидрофобных (водоотталкивающих) покрытий
  • Обработка 2D и 3D материалов
  • Приборы на основе графена
  • Микрофлюидика
  • Биоинженерия
  • Тканевая инженерия
  • Медицина

Данная установка предусматривает модельный ряд, состоящий из 3 моделей:

Модель

CIONE 4

CIONE 6

CIONE 8

Конфигурация процесса PE (плазменное травление)/RIE
(реактивное ионное травление)
PE (плазменное травление)/RIE
(реактивное ионное травление)
PE (плазменное травление)/RIE
(реактивное ионное травление)
Вакуумная камера,
Ш*Г*В, мм
140*200*110 200*220*160 250*300*200
Генератор 20 – 110 кГц
100 Вт
20 – 110 кГц
200 Вт
20 – 110 кГц
300 Вт
РРГ Max 100 sccm Max 100 sccm Max 100 sccm
Датчик измерения вакуума Артм…. 5 x 10-4 Torr Артм…. 5 x 10-4 Torr Артм…. 5 x 10-4 Torr
Управление Ручное и автоматическое Ручное и автоматическое Ручное и автоматическое
Размер установки,
Ш*Г*В, мм
440*500*560 510*525*640 600*615*680

Пример травления Парилена установкой CIONE 4 на кадрах разного масштаба:

Пример травления Парилена установкой CIONE 4 на кадрах разного масштаба
По результатам травления наблюдается выравнивание структуры и рельефа, получаются более четкие и прямы границы.

Подложка:

  • Тип: биосенсор
  • Размер, диаметр 4 дюйма
  • Толщина фоторезиста (SUB-2002) 2,2 мкм
  • Слой Парилена: Тип С

Параметры процесса:

  • Давление перед началом травления: 80 мТорр
  • Рабочее давление: 500 мТорр
  • Рабочий газ: кислород 100%
  • Мощность разряда 80 Вт, частота 50 кГц
  • Режим: RIE (реактивное ионное травление)
  • Скорость травления: > 150 нм/мин