Области применения:
- Микроэлектроника, наноэлектроника
- Снятие фоторезиста
- Оптоэлектроника
- Производство печатных плат
- Плазменная очистка
- Плазменная активация поверхности
- Научно-исследовательские центры и лаборатории
- Обработка поверхности перед сваркой, пайкой, заливкой
- Предварительная обработка перед нанесением лакового покрытия, колеющих веществ
- Создания гидрофильных (притягивающих воду)/гидрофобных (водоотталкивающих) покрытий
- Обработка 2D и 3D материалов
- Приборы на основе графена
- Микрофлюидика
- Биоинженерия
- Тканевая инженерия
- Медицина
Данная установка предусматривает модельный ряд, состоящий из 3 моделей:
Модель |
CIONE 4 |
CIONE 6 |
CIONE 8 |
Конфигурация процесса |
PE (плазменное травление)/RIE (реактивное ионное травление) |
PE (плазменное травление)/RIE (реактивное ионное травление) |
PE (плазменное травление)/RIE (реактивное ионное травление) |
Вакуумная камера, Ш*Г*В, мм |
140*200*110 |
200*220*160 |
250*300*200 |
Генератор |
20 – 110 кГц 100 Вт |
20 – 110 кГц 200 Вт |
20 – 110 кГц 300 Вт |
РРГ |
Max 100 sccm |
Max 100 sccm |
Max 100 sccm |
Датчик измерения вакуума |
Артм…. 5 x 10-4 Torr |
Артм…. 5 x 10-4 Torr |
Артм…. 5 x 10-4 Torr |
Управление |
Ручное и автоматическое |
Ручное и автоматическое |
Ручное и автоматическое |
Размер установки, Ш*Г*В, мм |
440*500*560 |
510*525*640 |
600*615*680 |
Пример травления Парилена установкой CIONE 4 на кадрах разного масштаба:
По результатам травления наблюдается выравнивание структуры и рельефа, получаются более четкие и прямы границы.
Подложка:
- Тип: биосенсор
- Размер, диаметр 4 дюйма
- Толщина фоторезиста (SUB-2002) 2,2 мкм
- Слой Парилена: Тип С
Параметры процесса:
- Давление перед началом травления: 80 мТорр
- Рабочее давление: 500 мТорр
- Рабочий газ: кислород 100%
- Мощность разряда 80 Вт, частота 50 кГц
- Режим: RIE (реактивное ионное травление)
- Скорость травления: > 150 нм/мин