Установка плазмохимического травления Versaline Etch

Versaline Etch – промышленная система, позволяющая проводить обработку больших партий с высокой воспроизводимостью технологических параметров. Платформа позволяет проводить технологические операции:

создания межприборной изоляции
глубокого анизотропного травления (в том числе кремния)
травления «cложных» материалов (карбиды, нитриды)
сквозного травления обратной стороны (back-etch, via), травления металлизации и многих других

Особенности:

Идеально подходит для крупносерийного производства
Одиночная или групповая обработка пластин, диаметр электрода 11"
Три варианта исполнения: RIE, ICP, DSE
Различные способы загрузки пластин
Детальный контроль профиля травления (патент Plasma-Therm)
Четкое определение точки окончания процесса (патент Plasma-Therm)
Температурная стабилизация ICP источника
Высочайшая селективность к материалу маски (более 20:1)
Специализированное ПО для промышленного производства
Высокая равномерность (≤±2%)
Высокая скорость травления
Три метода контроля: OES/OEI/Laser
Кластерное исполнение с подачей пластин из кассеты в кассету (до 6 камер)

	Технические характеристики
Размер столика (электрода)	8" (200мм)
Тип загрузки	ручной, шлюз или кассета
Температура обработки	от -40⁰С до +40⁰С от 10⁰С до 60⁰С от 10⁰С до 200⁰С
RF мощность источника	2 кВт, 2 МГц ICP 3,5 кВт, 2 МГц ICP RIE 600Вт, 13.56МГц
Вакуумный насос	Турбомолекулярный, Edwards 1300л/с Форвакуумный 600л/с
Газовые линии	до 8 (с цифровыми MFC)
ПО управления системой	Основано на ControlWorks TM
Определение точки окончания процессов	EndPointWorks TM OEI, OES, Laser
Требования к электропитанию	200-230 В, 50/60Гц
Размеры (ДхШ)	1887 х 640 мм (с шлюзом загрузки)
Опции	Установка через стену в чистом помещении; Конфигурация модуля травления под технологический процесс;

Форма поиска

Установка плазмохимического травления Versaline Etch