ДОСТАВКА ПО РОССИИ И СТРАНАМ СНГ
РЕЖИМ РАБОТЫ
09.00-18.00, пн-пт
Корзина (0)
Установка плазмохимического осаждения слоев LA PECVD
LA PECVD (Plasma-Therm) – система предназначена для высоких объемов полупроводникового производства. Работает из кассеты в кассеты и позволяет получать широкий спектр диэлектрических слоев в планарном реакторе:
- a-Si:H
- SiO2
- Si3N4
- SiOхNх
- SiC
- DLC (алмазоподобное углеродное покрытие)
Особенности:
- Идеально подходит для крупносерийного производства
- Групповая обработка пластин, до 3 пластин диаметром 200мм
- Возможность использования нескольких кассет с пластинами в загрузке
- Контроль механических напряжений для пленок SiNх
- Специализированное ПО для промышленного производства
- Высокая равномерность (≤±2.5%)
- Высокая производительность для процессов с разной скоростью осаждения
- Контроль параметров осаждения пленки в реальном времени
| Технические характеристики | |
| Размер столика (электрода) | 20" |
| Тип загрузки | Кассета |
| Температура обработки | 80-350⁰С |
| RF мощность смещения | 60/600 Вт, 13,56 МГц |
| Газовые линии | до 8 (с цифровыми MFC) |
| ПО управления системой | Основано на ControlWorks TM |
| Определение точки окончания процессов | Оптический спектрометр OES Оптический интерферометр OEI Лазерный интерферометр LEI |
| Требования к электропитанию | 200-230 В, 50/60Гц |
| Опции (полный перечень опций по запросу) | Возможность установки через стену в чистом посещении; Конфигурация модуля осаждения под технологический процесс; |