ДОСТАВКА ПО РОССИИ И СТРАНАМ СНГ
РЕЖИМ РАБОТЫ
09.00-18.00, пн-пт

Установка плазмохимического осаждения слоев Versaline PECVD

Versaline PECVD – позволяет получать широкий спектр диэлектрических слоев, как в планарных реакторах так и в реакторах с плазмой высокой плотности.

Оборудование обеспечивает контроль над большим количеством параметров процесса осаждения, что позволяет гибко управлять свойствами пленок:

  • a-Si:H
  • SiO2
  • Si3N4
  • SiOхNх
  • SiC
  • DLC (алмазоподобное углеродное покрытие)

Особенности:

  • Идеально подходит для крупносерийного производства
  • Одиночная или групповая обработка пластин, диаметр электрода 11"
  • Возможность осаждения в плазме высокой плотности (HDP-CVD) при температуре 180⁰С
  • Различные способы загрузки пластин
  • Контроль механических напряжений для пленок SiNх
  • Возможность получения ненапряженных пленок SiO2
  • Специализированное ПО для промышленного производства
  • Высокая равномерность (≤±2.5%)
  • Высокая скорость осаждения
  • Два метода контроля: OES и OEI
  • Кластерное исполнение с подачей пластин из кассеты в кассету (до 3 камер)

 Технические характеристики
Размер столика (электрода)10" (279мм)
Тип загрузкиручной, шлюз или кассета
Температура обработки80-350⁰С
RF мощность смещения60/600 Вт, 13,56 МГц
RF мощность ICP источника2000Вт, 2 МГц (только для HDP-CVD)
Вакуумный насосРутса
Газовые линиидо 8 (с цифровыми MFC)
ПО управления системойОсновано на ControlWorks TM
Определение точки окончания процессовEndPointWorks TM
Требования к электропитанию200-230 В, 50/60Гц
Размеры (ДхШ)1314 х 640 мм
ОпцииУстановка через стену в чистом помещении;
Конфигурация модуля осаждения под технологический процесс;