ДОСТАВКА ПО РОССИИ И СТРАНАМ СНГ
РЕЖИМ РАБОТЫ
09.00-18.00, пн-пт
Корзина (0)
Установка плазмохимического осаждения слоев Apex SLR HDP-CVD
- a-Si:H
- SiO2
- Si3N4
- SiON
- SiC
Особенности:
- Идеально подходит для пилотного и мелкосерийного производства
- Одиночная обработка пластин размером до 8"
- Установлен источник ICP (индуктивно-связанной) плазмы
- Шлюзовая загрузка
- Возможность осаждения легированных слоев
- Низкотемпературное осаждение (180⁰С)
- Высокая равномерность (≤±5%)
- Высокая скорость осаждения
- Надежность
| Технические характеристики | |
| Размер столика (электрода) | 10" (254мм) |
| Размер ICP источника | 8" (200мм) |
| Температура столика (электрода) | 10-180⁰С |
| Материал столика (электрода) | Монель (алюминиевый адаптер) |
| RF мощность смещения | 600 Вт, 13,56 МГц |
| RF мощность ICP источника | 1000Вт, 2 МГц |
| Вакуумный насос | 1300 л/с турбонасос |
| Минимальное давление | <1x10e-6 Торр |
| Контроль давления | Автоматический, 0-100 мТорр |
| Газовые линии | 6 линий (с цифровыми MFC) |
| Система контроля | PLC, DeviceNet (нет совместимости с SECS/GEM) |
| Операционная оболочка | PLC (на базе Windows 7) |
| Требования к электропитанию | 25А 200/208 В, 50/60Гц, 3 фазы |
| Размеры | Высота 206,2см (с газораспределительным шкафом) Глубина 138,7см Ширина 68,5 см |
| Опции | RF мощность ICP источника: 2000Вт Endpoint : OES/OEI/Laser Дополнительные газовые линии (до 12 линий) |