Установка плазмохимического осаждения слоев Versaline PECVD

Versaline PECVD – позволяет получать широкий спектр диэлектрических слоев, как в планарных реакторах так и в реакторах с плазмой высокой плотности.

Оборудование обеспечивает контроль над большим количеством параметров процесса осаждения, что позволяет гибко управлять свойствами пленок:

• a-Si:H
• SiO2
• Si3N4
• SiOхNх
• SiC
• DLC (алмазоподобное углеродное покрытие)

Особенности:

• Идеально подходит для крупносерийного производства
• Одиночная или групповая обработка пластин, диаметр электрода 11"
• Возможность осаждения в плазме высокой плотности (HDP-CVD) при температуре 180⁰С
• Различные способы загрузки пластин
• Контроль механических напряжений для пленок SiNх
• Возможность получения ненапряженных пленок SiO2
• Специализированное ПО для промышленного производства
• Высокая равномерность (≤±2.5%)
• Высокая скорость осаждения
• Два метода контроля: OES и OEI
• Кластерное исполнение с подачей пластин из кассеты в кассету (до 3 камер)